JANSR2N2222A
Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-18-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录JANSR2N2222AUB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 LCC-3 封装。JANSR2N3501
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N3501L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N3501U4
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N3501U4/TR
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-0.22-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 SMD-0.22-3 封装。Jantx2N6033
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N1613L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N1711S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantxv2N2945AUB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantxv2N2945A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantxv2N1711S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantxv2N1613
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N718A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N6338
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N3441
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N2945AUB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N2945AUB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N2945A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSF2N2222AUA
Microchip / Microsemi · 封装：UB-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 UB-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。