2N5613
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N5614
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5615
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5616
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5617
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5618
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5882
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N4854U
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5883
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N744
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N744A
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。JAN2N3634UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N3636UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N3867U4
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N3868U4
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N4033UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N2219
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N3501UB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SMD-4 封装。JANSR2N2221AUB
Microchip / Microsemi · 封装：UBC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 UBC-3 封装。JANSR2N2221AUB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 LCC-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。