2N5666S
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N5621
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5660
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V。2N5661
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V。2N5661U3
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5662
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5664
Microchip Technology · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V，采用 TO-66-2 封装。2N5665
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V。2N5666
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V。2N5666U3
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5684
Microchip Technology · 封装：TO-3 (TO-204AA-2)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-3 (TO-204AA-2) 封装。2N5671
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5677
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5678
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5680
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。2N5680L
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-39-3 封装。2N5681
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5682e3
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-39-3 封装。2N5683
Microchip Technology · 封装：TO-3 (TO-204AA-2)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-3 (TO-204AA-2) 封装。2N5796
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。