2N3442
Microchip Technology · 封装：TO-3 (TO-204AA-2)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、单件重量 0.225789 oz，采用 TO-3 (TO-204AA-2) 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N3469
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N3445
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3446
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3447
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3448
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3467
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾，采用 TO-39-3 封装。2N3467L
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-5-3 封装。2N3468
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾，采用 TO-39-3 封装。2N3468L
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N3499L
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N3486A
Microchip Technology · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-46-3 封装。2N3487
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3488
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3489
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3490
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3491
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3492
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N3498L
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N3500
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 TO-39-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。