2N3440U4
Microchip Technology · 封装：U4-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 U4-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N3440UA
Microchip Technology · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾，采用 SMD-4 封装。2N2990
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N2946AUB
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N2946AUB/TR
Microchip Technology · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SMD-3 封装。2N2983
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N2984
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N2985
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N2986
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N2988
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN，采用 TO-5-3 封装。2N2991
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N336AT2
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N328A
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 35 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 20 V，采用 TO-5-3 封装。2N335ALT2
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N335AT2
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N335LT2
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N335T2
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N336
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N336A
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国，采用 TO-5-3 封装。2N336ALT2
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。