2N2906AL
Microchip Technology · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-18-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N2906AUA
Microchip Technology · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-18-3 封装。2N336LT2
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N3421S
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N336T2
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。2N3418
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N3418S
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N3419
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 125 V，采用 TO-5-3 封装。2N3419S
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N3420
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N3420S
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N3421
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 125 V，采用 TO-5-3 封装。2N3421U4
Microchip Technology · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 SMD-3 封装。2N3440e3
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。2N3439
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V，采用 TO-39-3 封装。2N3439U4
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N3439UA
Microchip Technology · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国，采用 SMD-4 封装。2N3439UA/TR
Microchip Technology · 封装：LCC-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V，采用 LCC-4 封装。2N3440
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 TO-39-3 封装。2N3440L
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。