芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

MSD602-RT1G

onsemi · 封装：SC-59-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-59-3 封装。

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NJD1718T4G

onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。

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NJVMJB45H11T4G

onsemi · 封装：D2PAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 D2PAK-3 封装。

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NJVMJD148T4G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V。

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NJVMJD210T4G

onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。

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NSS60200LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。

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NSS60201LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 SOT-23-3 封装。

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NSS60201SMTTBG

onsemi · 封装：WDFN6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 WDFN6 封装。

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NSS1002CLTWG

onsemi · 封装：LFPAK-8

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 LFPAK-8 封装。

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NSS1C201LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 SOT-23-3 封装。

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NSS12100M3T5G

onsemi · 封装：SOT-723-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V，采用 SOT-723-3 封装。

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NSS12100UW3TCG

onsemi · 封装：WDFN3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V，采用 WDFN3 封装。

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NSS12100XV6T1G

onsemi · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V，采用 SOT-563-6 封装。

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NSS12200LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V，采用 SOT-23-3 封装。

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NSS12501UW3T2G

onsemi · 封装：WDFN3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V，采用 WDFN3 封装。

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NSS1C200LT1G

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 SOT-23-3 封装。

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NSS1C200MZ4T1G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 SOT-223-4 封装。

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NSS1C200MZ4T3G

onsemi · 封装：SOT-223-4

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PN2907ATA

onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。

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SBCP53-10T1G

onsemi · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。