BF824W,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.025 A，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录NSV2SA2029M3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-723-3 封装。BCP5510TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。BC53-16PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。NSVMSD601-RT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVMSA1162GT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。BF840,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.025 A，采用 SOT-23-3 封装。DST847BDJ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 SOT-963-6 封装。NSVT3946DXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V, 6 V、最大直流集电极电流 - 200 mA, 200 mA，采用 SOT-563-6 封装。BCP52-10,135
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 1.5 A，采用 SOT-223-3 封装。NSVBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。BC847BVN-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-563-6 封装。NSVMMUN2113LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV、最大直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 SM-6 封装。PMP5501Y,135
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-363-6 封装。2SC4774T106S
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 50 mA，采用 SOT-323-3 封装。2SA2029T2LR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V。NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SMMBTA06LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 SOT-23-3 封装。BCX41TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 125 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.8 A、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。