PBSS4240Z-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669904135。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS4240T-QVL
Nexperia · 封装：SOT23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT23-3 封装。PBSS4240T-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、型号别名 934663783215。2PB710ARL-QVL
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 120 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。BC806-16W-QF
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、耗散功率（Pd） 345 mW，采用 SOT-23 封装。2PB710ASL-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。2PC4081Q-QX
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-23-3 封装。2PC4081R-QX
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-23-3 封装。2PC4081S-QF
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-323-3 封装。2PC4081S-QX
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-323-3 封装。2PD1820AR-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 150 MHz，采用 SOT-323 封装。2PD1820AS-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 150 MHz，采用 SOT-323 封装。BC806-16VL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934661119235。BC806-16W-QX
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、耗散功率（Pd） 345 mW，采用 SOT-23 封装。BC807-16W-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。BC806-16WF
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 SC-70-3 封装。BC806-16WX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661125115。BC806-25-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、耗散功率（Pd） 345 mW，采用 SOT-23 封装。BC806-25-QVL
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、耗散功率（Pd） 345 mW，采用 SOT-23 封装。BC806-25H-QR
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 TO-236AB-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。