ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

FZT957QTC

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
查看资料 询价

HBDM60V600X-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT363-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 500 mA, 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V, 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V, 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5.5 V, 6 V，采用 SOT363-6 封装。
查看资料 询价

MJD2873-13

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
查看资料 询价

BC817-16FSW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
查看资料 询价

BC846BWQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
查看资料 询价

BC846B-7-F-W

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
查看资料 询价

BC846BFHW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
查看资料 询价

BC846BFHWQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
查看资料 询价

BC846BFSW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
查看资料 询价

BC846BFSWQ-7

Diodes Incorporated · 封装：U-DFN1412-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 U-DFN1412-3 封装。
查看资料 询价

BC846BQ-13-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
查看资料 询价

BC846BQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
查看资料 询价

BC846BW-13-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
查看资料 询价

PBSS4330X-QF

Nexperia · 封装：SC-62-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-62-3 封装。
查看资料 询价

PBSS4230T-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669946215。
查看资料 询价

PBSS4330PAS-QX

Nexperia · 封装：DFN-2020D-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DFN-2020D-3 封装。
查看资料 询价

PBSS4320T-QVL

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669943235。
查看资料 询价

PBSS4320T-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669943215。
查看资料 询价

PBSS4310PAS-QX

Nexperia · 封装：DFN-2020D-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 10 V，采用 DFN-2020D-3 封装。
查看资料 询价

PBSS4240Z-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669904115。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技