BCP5416QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:SOT-223-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V,采用 SOT-223-3 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOT-223-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V,采用 SOT-223-3 封装。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:PowerDI3333-8
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 100 V、集电极-基极电压(VCBO) 140 V,采用 PowerDI3333-8 封装。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:SOT-89-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 SOT-89-3 封装。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:SOT-89-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 SOT-89-3 封装。Diodes Incorporated · 封装:PowerDI3333-8
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 70 V,采用 PowerDI3333-8 封装。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:TO-252-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 70 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V,采用 TO-252-3 封装。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 德国。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 德国。Diodes Incorporated · 封装:SOT223-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 200 V、集电极-基极电压(VCBO) 220 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V,采用 SOT223-3 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。