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BC847CFSWQ-7

Diodes Incorporated · 封装：U-DFN1412-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 U-DFN1412-3 封装。
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BC847CQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
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BC847CWQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
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BC848CQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。
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BC856BFSWQ-7

Diodes Incorporated · 封装：U-DFN1412-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 U-DFN1412-3 封装。
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BC856A-7-F-W

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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BC856AFSW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
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BC856AFSWQ-7

Diodes Incorporated · 封装：U-DFN1412-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 U-DFN1412-3 封装。
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BC856AQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
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BC856B-7-F-W

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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BC856BFHW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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BC856BFHWQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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BC856BFSW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
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BC856BQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
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BCP5616TQTA

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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BC857C-7-F-W

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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BC857CWQ-13

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
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BC857CWQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
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BCP5316QTA

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。
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BCP53QTA

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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