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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

BAT64Q-13-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BAT64Q-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC53-16PAWQ-7

Diodes Incorporated · 封装:W-DFN2020-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V,采用 W-DFN2020-3 封装。

BC807-16FSW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC807-40FSWQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC807-16FSWQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC807-25-7-F-W

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC807-25FSW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC807-25FSWQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC807-40-13-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC807-40FHW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC807-40FHWQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC807-40FSW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC847AQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V。

BC847PN-7R-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V。

BC847BVNQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V。

BC847BWQ-13-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V。

BC847C-13-F-W

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC847C-7-F-W

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

BC847CFSW-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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