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199,570 条型号记录
每页 20 条

DXTP06080BFGQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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DXTP07025BFGQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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DXTP07060BFGQ-7

Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 PowerDI3333-8 封装。
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DXTP07100BFGQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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DXTP22040CFG-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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DXTP22040DFG-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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DXTP78060DFGQ-7

Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。
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DXTP22040DFGQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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DXTP3C100PD-13

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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DXTP3C100PDQ-13

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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DXTP58100CFDB-7

Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 U-DFN2020-3 封装。
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DXTP5820CFDB-7

Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 U-DFN2020-3 封装。
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DXTP5840CFDB-7

Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4.8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 U-DFN2020-3 封装。
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DXTP5860CFDB-7

Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 U-DFN2020-3 封装。
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DXTP78030DFGQ-7

Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。
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ZX5T851GQTC

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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ZX5T951GQTC

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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BC56-16PAWQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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AC847CWQ-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
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AC848BQ-13

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
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