MMSTA92HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MMSTA56HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-323-3 封装。MMSTA56-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-323-3 封装。MMBTA56-13P
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。MMBT3906HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。MMBTA42HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 TH。MMBTA28L-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。MMBTA06HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。MMBT5401HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-23-3 封装。MMBT4403HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。MMBT4401HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。MMBT3906L3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000028 oz。BC856BSH RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-363-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-363-3 封装。BC856BWH RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。BC857BH RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。DXTP03100CFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 110 V，采用 PowerDI3333-8 封装。DXTP22040CFGQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTP03140BFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 PowerDI3333-8 封装。DXTP03200BP5Q-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTP06080BFG-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。