CMPTA96 TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V，采用 SOT-23 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录CMUT5401 TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-523 封装。PN5138 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。PN5133 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 18 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V。PN5138 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。PN5137 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。PN5136 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。PN5136 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。PN5135 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。PN5135 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。PN5134 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3.5 V，采用 TO-92-3 封装。PN5134 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3.5 V，采用 TO-92-3 封装。PN3962 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管。PE4002 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管。PN3962 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管。PN3694 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、增益带宽积（fT） 200 MHz，采用 TO-92-3 封装。PN3694 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、增益带宽积（fT） 200 MHz，采用 TO-92-3 封装。PN3645 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。PN3645 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。PN2369A TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。