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2N6298 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N6049 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 55 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-66-2 封装。
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2N6076 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N6076 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N6076 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.016000 oz。
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2N6261 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N6297 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。
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2N6297 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N6427 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N6426 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N6519 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N6486 TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。
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2N6487 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。
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2N6487 TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N6515 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N6515 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N6518 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N6518 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N6519 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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CMPTA94 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 SOT-23 封装。
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