2N4033 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-39
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N4033 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。2N4036 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-39
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39 封装。2N4036 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。2N4037 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-39
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39 封装。2N4264 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5365 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。2N4264 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N4287 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 350 mV，采用 TO-92-3 封装。2N4289 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 800 mV，采用 TO-92-3 封装。2N4289 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 800 mV，采用 TO-92-3 封装。2N4401 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N4403 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2N4403 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2N5356 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-92-3 封装。2N5822 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V，采用 TO-92-3 封装。2N5963 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5963 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5963 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-92-3 封装。2N5963 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。