BC857BLP-7B
Diodes Incorporated · 封装：DFN1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 650 mV，采用 DFN1006-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS2515VS,115
Nexperia · 封装：SSmini-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SSmini-6 封装。DZT2907A-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.6 V，采用 SOT-223-4 封装。2SC5646A-TL-H
ON Semiconductor · 封装：SC-81-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4 V、集电极－基极电压（VCBO） 9 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、最大直流集电极电流 30 mA，采用 SC-81-3 封装。NSV2029M3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SMBT3904DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-363-6 封装。PBSS4240DPN,115
Nexperia · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 +/- 3 A，采用 SC-74-6 封装。2SC3837KT146N
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 0.05 A，采用 SC-59-3 封装。SBC807-25LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.7 V，采用 SOT-23-3 封装。2SC4618TLN
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV。2DA1774Q-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 SOT-523-3 封装。PBHV8118T,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 180 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SOT-23-3 封装。BCX51-16,135
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。NSVT3906DXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。2SD2654TLV
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz。CPH3123-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000447 oz。BF824,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.025 A，采用 SOT-23-3 封装。PBSS5350T,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 5 A，采用 SOT-23-3 封装。SMMBTA56WT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SC-70-3 封装。SZT1010T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。