Jan2N3771
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录Jantx2N5685
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N5684
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N5683
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N5416UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N5003
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N3791
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N3636L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N3772
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSU2N2222AUB
Microchip / Microsemi · 封装：UBC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 UBC-3 封装。JANTX2N3440UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSU2N2222AUB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SMD-3 封装。JANSU2N2907AUB
Microchip / Microsemi · 封装：UBC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 UBC-3 封装。JANSU2N2907AUB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SMD-3 封装。JANTX2N2432UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTX2N2907AUBC/TR
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SMD-3 封装。JANTX2N2945AUB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTX2N3439
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V，采用 TO-39-3 封装。JANTX2N3439UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTXV2N2945AUB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。