JANSF2N5151L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录JANSH2N2221AUBC
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSF2N5152
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSF2N5152L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSF2N5154L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSF2N5154U3/TR
Microchip / Microsemi · 封装：U-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5.5 V，采用 U-3 封装。JANSH2N2221A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSH2N2221AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSH2N2221AUA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSH2N2221AUB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSP2N2221AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSH2N2222AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSH2N2222AUA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSH2N2222AUBC
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSK2N2222AUB
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SMD-3 封装。JANSL2N2222AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSL2N3501UB
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SMD-4 封装。JANSM2N3501UB
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SMD-4 封装。JANSP2N2221A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTX2N3634UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。