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199,570 条型号记录
每页 20 条

JAN2N5151U3

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JAN2N5794U

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。

JAN2N5152U3

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JAN2N5153U3

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JAN2N5154U3

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JAN2N5339U3

Microchip / Microsemi · 封装:TO-276AA

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 100 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V,采用 TO-276AA 封装。

JAN2N5666U3

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JAN2N5794

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JAN2N5794A

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。

JAN2N5794AUC

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。

JANSF2N2907AUB

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JANSF2N5151

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JANSF2N2907AUBC

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。

JANSF2N3634UB

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 140 V、集电极-基极电压(VCBO) 140 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V。

JANSF2N3634UB/TR

Microchip Technology · 封装:TO-39-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 140 V、集电极-基极电压(VCBO) 140 V,采用 TO-39-3 封装。

JANSF2N3700UB

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JANSF2N3810

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JANSF2N3810L

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JANSF2N3810U

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

JANSF2N4449

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。

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