JAN2N5151U3
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
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该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。Microchip / Microsemi
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该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。Microchip / Microsemi · 封装:TO-276AA
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 100 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V,采用 TO-276AA 封装。Microchip / Microsemi
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该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。Microchip / Microsemi
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该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 140 V、集电极-基极电压(VCBO) 140 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V。Microchip Technology · 封装:TO-39-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 140 V、集电极-基极电压(VCBO) 140 V,采用 TO-39-3 封装。Microchip / Microsemi
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