JAN2N2906AUBC/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录JAN2N3439UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N5794UC/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。JANS2N2219
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N5796A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N5796U
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N6438
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANHCB2N5002
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANHCB2N5004
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANHCB2N5415
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANHCB2N5416
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANHCC2N5339
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N2369AUB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 LCC-3 封装。JANSR2N3440
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。JANSR2N2484UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N2484UB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-3 封装。JANSR2N2905A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANSR2N2907AUB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V。JANSR2N2907AUB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-3 封装。JANSR2N2920U/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。