2N5468
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N5469
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5884
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5958
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5885
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5886
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5931
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5935
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5936
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5954
Microchip Technology · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V，采用 TO-66-2 封装。2N5956
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5957
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5153U3
Microchip Technology · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5.5 V，采用 SMD-3 封装。2N5286
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5154
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-39-3 封装。2N5154L
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5154U3
Microchip Technology · 封装：U-3-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5.5 V，采用 U-3-3 封装。2N5237
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V。2N5238
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5238S
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。