ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

2N5385

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
查看资料 询价

2N2992

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。
查看资料 询价

2N327A

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 20 V，采用 TO-5-3 封装。
查看资料 询价

2N2993

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。
查看资料 询价

2N2994

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。
查看资料 询价

2N3016

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。
查看资料 询价

2N3017

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。
查看资料 询价

2N3019

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 TO-5-3 封装。
查看资料 询价

2N3019S

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

2N3057A

Microchip Technology · 封装：TO-46-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 TO-46-3 封装。
查看资料 询价

2N3250A

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

2N3500U4

Microchip Technology · 封装：U4-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 U4-3 封装。
查看资料 询价

2N3506AL

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

2N3500U4/TR

Microchip Technology · 封装：SMD-0.22-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 SMD-0.22-3 封装。
查看资料 询价

2N3501

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

2N3501L

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

2N3501U4

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

2N3501UB

Microchip Technology · 封装：SMD-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 SMD-4 封装。
查看资料 询价

2N3501UB/TR

Microchip Technology · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 LCC-3 封装。
查看资料 询价

2N3501e3

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技