2N5151U3
Microchip Technology · 封装：U-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 U-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N5152
Microchip Technology · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-39-3 封装。2N5287
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5314
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5288
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5289
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5290
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5301
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5302
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5303
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。2N5312
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5313
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5339
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。2N5406
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP。2N5345
Microchip Technology · 封装：TO-66
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 TO-66 封装。2N5346
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N5347
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5348
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5349
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5384
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。