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Microchip Technology · 封装:TO-39-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si,采用 TO-39-3 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:TO-39-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si,采用 TO-39-3 封装。Microchip Technology · 封装:TO-5-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si,采用 TO-5-3 封装。Microchip Technology · 封装:TO-59
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V,采用 TO-59 封装。Microchip Technology
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。Microchip Technology
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。Microchip Technology · 封装:TO-59
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V,采用 TO-59 封装。Microchip Technology
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。Microchip Technology
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该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。Microchip Technology · 封装:TO-5-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 700 V、集电极-基极电压(VCBO) 700 V,采用 TO-5-3 封装。Microchip Technology
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该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。Microchip Technology · 封装:TO-39-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V,采用 TO-39-3 封装。Microchip Technology
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。