2N2432UB
Microchip Technology · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 TO-18-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N2481
Microchip Technology · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-18-3 封装。2N2484
Microchip Technology · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-18-3 封装。2N2484UA
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N2484UA/TR
Microchip Technology · 封装：LCC-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-4 封装。2N2484UB
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、单件重量 0.014306 oz。2N2812
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N2727
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N2780
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N2811
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N2892
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N2878
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N2879
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。2N2880
Microchip Technology · 封装：TO-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-59-3 封装。2N2906AUB
Microchip Technology · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-3 封装。2N2907Ae4
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V。2N2906AUB/TR
Microchip Technology · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-3 封装。2N2907
Microchip Technology · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-18-3 封装。2N2907A
Microchip Technology · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-18-3 封装。2N2907AL
Microchip Technology · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-18-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。