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BC856BHZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
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BC858BHZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
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BCX17HZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
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BCX19HZGT116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
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EMB3FHAT2R

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。
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EMH3FHAT2R

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。
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EMH4FHAT2R

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。
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EMT1FHAT2R

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-563-6 封装。
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EMZ1FHAT2R

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V, 6 V，采用 SOT-563-6 封装。
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2N2218AL

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。
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2N1890

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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2N1890S

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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2N1893S

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。
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2N2060L

Microchip Technology · 封装：TO-78-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-78-6 封装。
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2N2102S

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 TO-5-3 封装。
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2N2218A

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾，采用 TO-39-3 封装。
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2N2405

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
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2N2484UB/TR

Microchip Technology · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-3 封装。
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2N2432

Microchip Technology · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-18-3 封装。
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2N2432AUB

Microchip Technology · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 TO-18-3 封装。
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