NJVMJD32T4G
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NJVMJD340T4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NSS40200LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。NSS20500UW3TBG
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V。NSS20501UW3T2G
onsemi · 封装：WDFN3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 WDFN3 封装。NSS20501UW3TBG
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.000340 oz。NSS20601CF8T1G
onsemi · 封装：ChipFET-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 ChipFET-8 封装。NSS30070MR6T1G
onsemi · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SC-74-6 封装。NSS30100LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。NSS30101LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。NSS30201MR6T1G
onsemi · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TSOP-6 封装。NSS40201LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。NSS40301MZ4T3G
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-223-4 封装。NSS40300CTWG
onsemi · 封装：LFPAK-4
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 菲律宾，采用 LFPAK-4 封装。NSS40300DDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOIC-8 封装。NSS40300MDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOIC-8 封装。NSS40300MZ4T1G
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-223-4 封装。NSS40300MZ4T3G
onsemi · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-223-4 封装。NSS40301CTWG
onsemi · 封装：LFPAK-4
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 菲律宾，采用 LFPAK-4 封装。NSS40301MDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。