NJVMJD44H11T4G
onsemi · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NJVMJD45H11G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NJVMJD45H11RLG
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。NJVMJD45H11T4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。SBC807-16LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。SBC817-40LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。SBC807-16LT3G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。SBC807-25LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。SBC807-25LT3G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。SBC807-25WT1G
onsemi · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V，采用 SC-70-3 封装。SBC807-40LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。SBC807-40LT3G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。SBC807-40WT1G
onsemi · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。SBC808-25LT1G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。SMBT3906DW1T1G
onsemi · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-363-6 封装。SMBT3946DW1T1G
onsemi · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V, 40 V，采用 SOT-363-6 封装。NJVMJD350T4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NJVMJD31T4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NJVMJD32CG
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NJVMJD32CT4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。