PBSS4360X-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669912135。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS4330X-QX
Nexperia · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-62-3 封装。PBSS4360PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 DFN-2020D-3 封装。PBSS4350Z-QF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SC-73-4 封装。PBSS4350T-QVL
Nexperia · 封装：SOT23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT23-3 封装。PBSS4350T-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、型号别名 934663784215。PBSS4350PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-2020D-3 封装。PBSS4350PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-2020D-3 封装。PBSS4350D-QX
Nexperia · 封装：SOT457-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT457-6 封装。PBSS4350D-QF
Nexperia · 封装：SOT457-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT457-6 封装。PBSS5360Z-QX
Nexperia · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-223-4 封装。PBSS5320D-QX
Nexperia · 封装：SOT-457-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 SOT-457-6 封装。PBSS5360PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 DFN-2020D-3 封装。PBSS5350Z-QF
Nexperia · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-4 封装。PBSS5350PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-2020D-3 封装。PBSS5350PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-2020D-3 封装。PBSS5350D-QX
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TSOP-6 封装。PBSS5330PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 DFN2020D-3 封装。PBSS5320T-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、型号别名 934663786215。PBSS5140T-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。