ChipSourceHub 美芯科技

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

PBSS5320D-QH

Nexperia · 封装:SOT-457-6

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 20 V、集电极-基极电压(VCBO) 20 V,采用 SOT-457-6 封装。

PBSS5240X-QF

Nexperia · 封装:SOT-89-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 40 V,采用 SOT-89-3 封装。

PBSS5255PAPS-QX

Nexperia · 封装:DFN-2020D-6

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 55 V、集电极-基极电压(VCBO) 55 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V,采用 DFN-2020D-6 封装。

PBSS5250TH-QR

Nexperia

该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664875215。

PBSS5250T-QR

Nexperia

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669949215。

PBSS5250PASX

Nexperia · 封装:DFN-2020D-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V,采用 DFN-2020D-3 封装。

PBSS5250PAS-QX

Nexperia · 封装:DFN-2020D-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V,采用 DFN-2020D-3 封装。

PBSS5240Z-QX

Nexperia

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669905115。

PBSS5240Z-QF

Nexperia

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669905135。

PBSS5240X-QX

Nexperia · 封装:SOT-89-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 40 V,采用 SOT-89-3 封装。

PBSS5240T-QVL

Nexperia · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 40 V,采用 SOT-23-3 封装。

PBSS5140U-QF

Nexperia

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669953135。

PBSS5240T-QR

Nexperia

该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934663785215。

PBSS5230T-QR

Nexperia

该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664877215。

PBSS5220T-QR

Nexperia · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 20 V、集电极-基极电压(VCBO) 20 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 SOT-23-3 封装。

PBSS5160U-QX

Nexperia · 封装:SOT-323-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 SOT-323-3 封装。

PBSS5160T-QVL

Nexperia · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 SOT-23-3 封装。

PBSS5160T-QR

Nexperia · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 SOT-23-3 封装。

PBSS5160DS-QX

Nexperia

该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664892115。

PBSS5140U-QX

Nexperia

该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669953115。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技