PUMB19-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PMSTA55-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 50 MHz、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。PUMB18-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PUMB17-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PUMB15-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PUMB10-QX
Nexperia · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 300 mW，采用 SOT-363 封装。PUMB10-QF
Nexperia · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 300 mW，采用 SOT-363 封装。PUMB1-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PMSTA92-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 SC-70-3 封装。PMSTA56-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 50 MHz、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。PMST2907A-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666448115。PDTA123JU-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。PMST2369-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 500 MHz，采用 SOT-323 封装。PMST2369-QF
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 500 MHz，采用 SOT-323 封装。PDTA143EU-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 180 MHz，采用 SOT-323 封装。PDTA143ET-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 180 MHz，采用 SOT-23 封装。PDTA124XT-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23 封装。PDTA124EU-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。PDTA124EU-QF
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。PDTA123YU-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。