BCP53H-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SC-73-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC846BPNH-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。BCP53T-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666347135。BCP53T-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934666347115。BC846AW-QF
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-323-3 封装。BC846AW-QX
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-323-3 封装。BC846B-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。BC846B-QVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。BC846BPN-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TSSOP-6 封装。BC846BPNH-QF
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。BCP56-16T-QF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SC-73-4 封装。BCP68-QF
Nexperia · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。BCP56-16T-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SC-73-4 封装。BCP56-QF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SC-73-4 封装。BCP56-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SC-73-4 封装。BCP56H-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669923115。BCP56T-QF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SC-73-4 封装。BCP56T-QX
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SC-73-4 封装。BCP68-25-QF
Nexperia · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。BCP68-25-QX
Nexperia · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。