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BC807-16QBH-QZ

Nexperia · 封装：DFN-1110D-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。
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BC807-16QBZ

Nexperia · 封装：SOT-8015-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-8015-3 封装。
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BC807-40-QR

Nexperia · 封装：TO-236AB-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-2 封装。
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BC807-40-QVL

Nexperia · 封装：TO-236AB-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-2 封装。
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BC807-40H-QR

Nexperia · 封装：TO-236AB-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-236AB-3 封装。
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BC807-40QB-QZ

Nexperia · 封装：DFN-1110D-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。
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BC807-40QBH-QZ

Nexperia · 封装：DFN-1110D-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。
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BC807-40QBZ

Nexperia · 封装：SOT-8015-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-8015-3 封装。
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BC807-40QC-QZ

Nexperia · 封装：DFN-1412D-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1412D-3 封装。
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BC859CW-QX

Nexperia · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-323-3 封装。
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BC860B-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669323215。
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BC860C-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669325215。
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BC869-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934669969115。
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BC860C-QVL

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669325235。
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BC860CW-QF

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669332135。
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BC860CW-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669332115。
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BC868-25-QX

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。
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BC868-QX

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。
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BC869-16-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934669974115。
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BC869-25-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934669973115。
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