PMST4401-QX
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录PMST3906-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669342115。BC56-16PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DFN-2020D-3 封装。BC68PA-QX
Nexperia · 封装：SOT-1061-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-1061-3 封装。BC56-16PAST-QX
Nexperia · 封装：SOT-1061D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-1061D-3 封装。BC56-16PASTX
Nexperia · 封装：SOT-1061D
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-1061D 封装。BC56PA-QX
Nexperia · 封装：SOT-1061-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-1061-3 封装。BC56PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DFN-2020D-3 封装。BC56PAST-QX
Nexperia · 封装：SOT-1061D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-1061D-3 封装。BC56PASTX
Nexperia · 封装：SOT-1061D
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-1061D 封装。BC68-25PA-QX
Nexperia · 封装：SOT-1061-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-1061-3 封装。BC68-25PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 DFN2020D-3 封装。BC806-25R
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661121215。BC807-16QCH-QZ
Nexperia · 封装：DFN-1110D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。BC806-25VL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661121235。BC806-25WF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661126135。BC806-25WX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 SC-70-3 封装。BC807-16-QR
Nexperia · 封装：TO-236AB-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-2 封装。BC807-16-QVL
Nexperia · 封装：TO-236AB-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-2 封装。BC807-16H-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。