PUMH16-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669408115。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PUMH14-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。PUMD2F
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。PUMB20-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PUMD24-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 TSSOP-6 封装。PUMD20-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PUMD18-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PUMD17-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PUMD14-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PUMB9-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。PUMB4-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PUMB30-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C。PMSTA42-QX
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 SC-70-3 封装。PMST3904-QX
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-323-3 封装。PMSTA06-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。PMSTA05-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。PMST5551-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664934115。PMST5550-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664932115。PMST5550-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664932135。PMST4403-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669341115。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。