BC56-10PA-QX
Nexperia · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC56-10PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DFN-2020D-3 封装。BC56-10PAST-QX
Nexperia · 封装：SOT-1061D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-1061D-3 封装。BC68PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 DFN2020D-3 封装。BC806-16R
Nexperia · 封装：SOT23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT23-3 封装。BC69-16PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 DFN2020D-3 封装。BC69-25PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 DFN2020D-3 封装。BC69PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V，采用 DFN2020D-3 封装。BC806-16-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、耗散功率（Pd） 345 mW，采用 SOT-23 封装。BC806-16-QVL
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、耗散功率（Pd） 345 mW，采用 SOT-23 封装。BC806-16H-QR
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 TO-236AB-3 封装。BC806-16HR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。BC806-16HVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。BCM856BSH-QF
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。BCP51-10T-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669927135。BCM856BSH-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TSSOP-6 封装。BCM856DS-QX
Nexperia · 封装：SOT-457
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 175 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-457 封装。BCM857BS-QX
Nexperia · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 175 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-363 封装。BCM857BSH-QF
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。BCM857BSH-QX
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。