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2PB709BRL-QR

Nexperia · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。
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2PB709ASL-QR

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 SOT-23-3 封装。
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2PB709ASL-QVL

Nexperia · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 SOT-23 封装。
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PBSS4021NZ-QX

Nexperia · 封装：SC-73-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 SC-73-3 封装。
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PUMX2-QH

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669290125。
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PBSS4021PZ-QX

Nexperia · 封装：SC-73-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 20 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 SC-73-3 封装。
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PBSS4032NXF

Nexperia · 封装：SC-62-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SC-62-3 封装。
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PBSS4032NZ-QX

Nexperia · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 700 mW、增益带宽积（fT） 145 MHz，采用 SOT-223 封装。
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PBSS4032PZ-QX

Nexperia · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 2 W、增益带宽积（fT） 130 MHz，采用 SOT-223 封装。
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PBSS4041NX-QX

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6.2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。
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PBSS4041NZ-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664878115。
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PUMZ1-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669274115。
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PUMX2-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669290115。
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BC54PAS-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664894115。
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BC56-10PASTX

Nexperia · 封装：SOT-1061D

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-1061D 封装。
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BC55-10PA-QX

Nexperia · 封装：SOT-1061-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-1061-3 封装。
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BC55-10PAS-QX

Nexperia · 封装：DFN-2020D-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN-2020D-3 封装。
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BC55-16PAS-QX

Nexperia · 封装：DFN-2020D-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN-2020D-3 封装。
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BC55PA-QX

Nexperia · 封装：SOT-1061-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-1061-3 封装。
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BC55PAS-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664895115。
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