2PD2150-QX
Nexperia · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SC-62-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC53-10PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。2PD601ARL-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。2PD601ART-QR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。2PD601ART-QVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。2PD601ARW-QX
Nexperia · 封装：SOT-323-
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323- 封装。2PD601ASL-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669295215。2PD601ASL-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669295235。2PD601ASW-QX
Nexperia · 封装：SOT-323-
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323- 封装。2PD601BRL-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。BC53-10PAST-QX
Nexperia · 封装：SOT-1061D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-1061D-3 封装。BC54-16PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。BC53-10PASTX
Nexperia · 封装：SOT-1061D
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、增益带宽积（fT） 145 MHz、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-1061D 封装。BC53-16PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。BC53-16PAST-QX
Nexperia · 封装：SOT-1061D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-1061D-3 封装。BC53-16PASTX
Nexperia · 封装：SOT-1061D
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、增益带宽积（fT） 145 MHz、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-1061D 封装。BC53PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。BC53PAST-QX
Nexperia · 封装：SOT-1061D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-1061D-3 封装。BC53PASTX
Nexperia · 封装：SOT-1061D
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、增益带宽积（fT） 145 MHz、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-1061D 封装。BC54-10PAS-QX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 DFN-2020D-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。