FMMT619QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录FMMT620QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMT625QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMT717QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FZT692BQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FZT855QTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FZT749QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FZT749QTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FZT751QTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。FZT753QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 德国。FZT753QTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。FZT789AQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。FZT795AQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。FZT855QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MJD45H11Q-13
Diodes Incorporated · 封装：TO-252-3 (DPAK)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-252-3 (DPAK) 封装。MJD42C-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MJD42CQ-13
Diodes Incorporated · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-252-3 封装。MJD44H11-13
Diodes Incorporated · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-252-3 封装。MJD44H11Q-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MJD45H11-13
Diodes Incorporated · 封装：TO-252-3 (DPAK)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-252-3 (DPAK) 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。