DXTN78100CFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DXTN80030DFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。DXTN80060DFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。DXTN80100CFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。FCX591QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-89-3 封装。FMMT416TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 60 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 315 V，采用 SOT-23-3 封装。FCX619-13R
Diodes Incorporated · 封装：SOT89
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT89 封装。FCX619QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 190 V，采用 SOT-89-3 封装。FMMT411FDBW-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMT411FDBWQ-7
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 W-DFN2020-3 封装。FMMT411QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 德国。FMMT411QTD
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 德国。FMMT411TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-23-3 封装。FMMT411TD
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 德国。FMMT591AQTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMT718QTA
Diodes Incorporated · 封装：SO23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 SO23-3 封装。FMMT591QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。FMMT591TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。FMMT596QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMT618QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。