ZXTN07060BGQTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZXTN08400BNS-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V，采用 PowerDI3333-8 封装。ZXTN2018FQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V，采用 SOT-23-3 封装。ZXTN5551FLQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BCX5616QTC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.001834 oz，采用 SOT-89-3 封装。DSS3540MQ-7B
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BCX6825QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.001834 oz，采用 SOT-89-3 封装。BSR43QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.001834 oz，采用 SOT-89-3 封装。DCX143ZU-7R-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DMMT32N45CV-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DMMT32N45CV-7R
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DMMT3906Q-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DSS3515MQ-7
Diodes Incorporated · 封装：X1-DFN1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V，采用 X1-DFN1006-3 封装。DSS3540M-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。DXTN5860DFDB-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 U-DFN2020-3 封装。DXTP03060BFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 PowerDI3333-8 封装。DXTN69060CE-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT223-4 封装。DXTN69060CFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 PowerDI3333-8 封装。DXTN78030DFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。DXTN78060DFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerVDFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 PowerVDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。