DSS60600MZ4Q-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT223-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DSS60601MZ4Q-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 12 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-3 封装。DST3946DPJ-7B
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXT2011P5Q-13
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI-5
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V，采用 PowerDI-5 封装。DXT5551P5Q-13
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 PowerDI5-3 封装。DXTC3C100PD-13
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI5060-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 PowerDI5060-8 封装。FMMT722QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMTA42QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMTA92QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FMMTL717QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FZT1053AQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 75 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 SOT-223-3 封装。FZT458QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。FZT560QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 德国。FZT560QTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。ZXT13N50DE6QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。ZXTP07060BGQTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。ZXT13P40DE6QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。ZXT690BKQTC
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。ZXTC4591AMCQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。ZXTC6717MCQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。