ZXTP2012ZQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4.3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-89-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZXTP2014ZQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SOT-89-3 封装。ZXTP2027FQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT23-3 封装。ZXTP2096FQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 德国。ZXTP25100CFHQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 115 V，采用 SOT-23-3 封装。ZXTP5401FLQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC856BWQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。BC857BWQ-13-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。BC857AFSW-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC857AFSWQ-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN1412-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 U-DFN1412-3 封装。BC857BFSW-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC857BFSWQ-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN1412-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 U-DFN1412-3 封装。BC857BLP4Q-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC857BLP4Q-7B
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC857BQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC857BSQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。DSS4160FDBQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTC3C100PDQ-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DSS4310FJAWQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DSS5240VQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT563-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT563-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。