DXTN22040CFG-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录DXTN22040CFGQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN22040DFG-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN22040DFGQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN3C100PD-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN3C100PDQ-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN58100CFDB-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 U-DFN2020-3 封装。DXTN5820DFDB-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 U-DFN2020-3 封装。MMDT2222VQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。ZDT6718QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 德国。MMDT2907VQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MMDT3906Q-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MMDT3946-7R-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MMDT3946Q-7R
Diodes Incorporated · 封装：SOT363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V, 40 V，采用 SOT363-6 封装。MMDT5451Q-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V, 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V, 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT363-6 封装。MMST4401-13-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MMST5401-13-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-323-3 封装。ZDT1049QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 德国。ZXTP19040CGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-223-3 封装。ZXTP19100CZQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。