HN1C01FE-GR,LXHF
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 ES-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录HN1C01FE-Y,LXHF
Toshiba · 封装：ES-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 ES-6 封装。RN2412,LF
Toshiba
该型号为晶体管。TTC502,LF
Toshiba
该型号为晶体管。AC847BQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT23-3 封装。BC817-16FSWQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC846AQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。BC817-25-7-F-W
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC817-25FSW-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC817-25FSWQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC817-40-7-F-W
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC817-40FHW-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC817-40FSW-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC817-40FSWQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC846A-7-F-W
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC847B-13-F-W
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC847BVCQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC847B-7-F-W
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC847BFSW-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC847BFSWQ-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN1412-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 U-DFN1412-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。