NSVT5551MR6T1G
onsemi · 封装：TSOT-23-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TSOT-23-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MMBT3906-AU_R1_000A1
Panjit · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。BC847B-AU_R1_000A1
Panjit · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。2SA1576U3HZGT106Q
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-323-3 封装。2SA1579U3HZGT106R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。2SA1579U3T106S
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 SOT-323-3 封装。2SA1774E3HZGTLQ
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-416-3 封装。BC807-40WH RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。BC807-16W RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。BC807-25H RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC807-25W RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。BC807-25WH RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。BC807-40H RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC807-40W RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。BC817-25H RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。2-1616365-1
TE Connectivity / Raychem
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 美国。2-1616365-7
TE Connectivity / Raychem
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 美国。7-1616974-2
TE Connectivity / Raychem
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 美国。2DA1774QQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。UMZ2N-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, 7 V，采用 SOT-363-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。