BCW72LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.21 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC817-25W,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-323-3 封装。BC807-40,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。MMBT3906LT1H
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz。BC857CLT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC857A,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-23-3 封装。MMBT4126LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V，采用 SOT-23-3 封装。BC857AW,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。PMBT2222A,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-23-3 封装。BC858ALT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SOT-23-3 封装。BC857CW,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。BC856AW,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 SOT-323-3 封装。BC858BLT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SOT-23-3 封装。PMBT3906,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-23-3 封装。BC847CW,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。BC847BTT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SC-75-3 封装。SMMBT3906WT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-323-3 封装。MMBT5962
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 SOT-23-3 封装。2SC2712-OTE85LF
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 SOT-346-3 封装。BC817-40QAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV、最大直流集电极电流 500 mA，采用 DFN-1010D-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。